|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-8962644 Herst.-Nr.:
TK5P60W,RVQ(S EAN/GTIN:
5059041691338 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 900 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 60 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 7.18mm
Serie = TK
MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 900 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.7V | Verlustleistung max.: | 60 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 7.18mm | Serie: | TK |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 8962644, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK5P60W,RVQ(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |