| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-8977204 Herst.-Nr.: IPW60R125C6FKSA1 EAN/GTIN: 5059043073200 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 125 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V Verlustleistung max. = 219 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = CoolMOS C6
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 125 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 219 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS C6 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, mosfet, mosfet 30a, 8977204, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPW60R125C6FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |