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Texas Instruments NexFET CSD19534KCS N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 100 A 118 W, 3-Pin TO-220


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Texas Instruments NexFET CSD19534KCS N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 100 A 118 W, 3-Pin TO-220
Artikel-Nr.:
     3794E-9009964
Hersteller:
     Texas Instruments
Herst.-Nr.:
     CSD19534KCS
EAN/GTIN:
     5059042651478
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 118 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Serie = NexFET

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
100 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
TO-220
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
20 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Verlustleistung max.:
118 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.:
+175 °C
Serie:
NexFET
Weitere Suchbegriffe: mosfet 100a, mosfet, to-220 mosfet, 9009964, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Texas Instruments, CSD19534KCS, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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