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| Artikel-Nr.:
3794E-9034140 Herst.-Nr.:
FDC645N EAN/GTIN:
5059042736007 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SSOT-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 48 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 1,6 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 1mm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SSOT-6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 48 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 1,6 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 9034140, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDC645N, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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