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| Artikel-Nr.:
3794E-9034504 Herst.-Nr.:
SiHB28N60EF-GE3 EAN/GTIN:
5059040641587 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 28 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 123 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 250 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = EF Series
N-Kanal-MOSFET mit Fast Diode, EF-Serie, Vishay Semiconductor. Geringere Umkehr-Wiederherstellungszeit, Umkehr-Erholungsladung und Sperrverzögerungsstrom Niedriger Gütefaktor (FOM) Niedrige Eingangskapazität (Ciss) Erhöhte Widerstandsfähigkeit aufgrund der geringen Umkehr-Erholungsladungen Ultraniedrige Gatterladung (Qg) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 28 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 123 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 250 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | EF Series |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 9034504, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiHB28N60EFGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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