Wolfspeed C2M0160120D N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 19 A 125 W, 3-Pin TO-247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 19 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 196 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.4V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -5 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = SiC
Diodendurchschlagsspannung = 3.3V

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed. Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert. Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand Latch-Up-resistenter Betrieb