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| Artikel-Nr.:
3794E-9064296 Herst.-Nr.:
BSC028N06NSATMA1 EAN/GTIN:
5059043033396 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TDSON
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 4,2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 83 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TDSON | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,2 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 83 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 9064296, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSC028N06NSATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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