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| Artikel-Nr.:
3794E-9064306 Herst.-Nr.:
BSB028N06NN3GXUMA1 EAN/GTIN:
5059043837390 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 90 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = MG-WDSON-2
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 2,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 78 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 5.05mm
Höhe = 0.53mm
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V. optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen. Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS Optimierte Technik für DC/DC-Wandler Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen N-Kanal, Logikebene Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM) Sehr geringer Widerstand R DS(ON) Pb-frei Beschichtung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 90 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | MG-WDSON-2 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 78 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 5.05mm | Höhe: | 0.53mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 9064306, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSB028N06NN3GXUMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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