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| Artikel-Nr.:
3794E-9064356 Herst.-Nr.:
IPT020N10N3ATMA1 EAN/GTIN:
5059043835150 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 300 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = HSOF-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 3,7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 375 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 10.1mm
Serie = OptiMOS 3
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 300 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | HSOF-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,7 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 375 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 10.1mm | Serie: | OptiMOS 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: 9064356, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPT020N10N3ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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