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| Artikel-Nr.:
3794E-9064441 Herst.-Nr.:
BSC009NE2LSATMA1 EAN/GTIN:
5059043842639 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 25 V
Serie = OptiMOS™
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 900 μΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 96 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Infineon OptiMOS™ Leistungs-MOSFET-Produktfamilie. optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.. N-Kanal - Anreicherungstyp Kfz AEC Q101 zugelassen MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung 175 °C Betriebstemperatur grünen Paket (bleifrei) Extrem niedriger RDS(on) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 25 V | Serie: | OptiMOS™ | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 900 μΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 96 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 9064441, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSC009NE2LSATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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