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| Artikel-Nr.:
3794E-9064485 Herst.-Nr.:
IPD025N06NATMA1 EAN/GTIN:
5059043071060 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 90 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 167 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 90 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 167 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 9064485, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD025N06NATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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