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| Artikel-Nr.:
3794E-9110822 Herst.-Nr.:
IPB036N12N3GATMA1 EAN/GTIN:
5059043246024 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 180 A
Drain-Source-Spannung max. = 120 V
Gehäusegröße = D2PAK-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 3,6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 180 A | Drain-Source-Spannung max.: | 120 V | Gehäusegröße: | D2PAK-7 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,6 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 300 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 9110822, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB036N12N3GATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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