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| Artikel-Nr.: 3794E-9110825 Herst.-Nr.: IPB025N10N3GATMA1 EAN/GTIN: 5059043273631 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 180 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = D2PAK-7 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 4,4 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 300 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 9.45mm Serie = OptiMOS 3
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 180 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | D2PAK-7 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,4 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 300 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 9.45mm | Serie: | OptiMOS 3 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 9110825, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB025N10N3GATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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