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Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 483 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal


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Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 483 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Artikel-Nr.:
     3794E-9114773
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKW40N120H3FKSA1
EAN/GTIN:
     5059043040288
Suchbegriffe:
Diode
IGBT
Schalttransistor
Transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 483 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.03 x 5.16 x 21.1mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C

TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit. Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V Sehr geringer VCEsat Geringe Abschaltverluste Kurzer Endstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
80 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
483 W
Gehäusegröße:
TO-247
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
16.03 x 5.16 x 21.1mm
Betriebstemperatur max.:
+175 °C
Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, igbt, transistor to-247, 9114773, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKW40N120H3FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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