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| Artikel-Nr.:
3794E-9114969 Herst.-Nr.:
BSP317PH6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059043051864 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 430 mA
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 3.5mm
Höhe = 1.6mm
Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs. Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS ;sup>® ;/sup> besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.. · AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt) · Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 430 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 1,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 3.5mm | Höhe: | 1.6mm |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, mosfet sot-223, 9114969, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSP317PH6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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