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| Artikel-Nr.:
3794E-9115007 Herst.-Nr.:
IPD90P03P4L04ATMA1 EAN/GTIN:
5059043351063 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 90 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 6,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 137 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +5 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 2.3mm
P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P. Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS ™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.. Enhancement-Modus Für Stoßentladung ausgelegt Niedrige Schalt- und Leitungsverluste Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform Standardgehäuse P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 90 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 6,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 137 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +5 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 2.3mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 9115007, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD90P03P4L04ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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