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| Artikel-Nr.: 3794E-9133979 Herst.-Nr.: IRFB4310PBF EAN/GTIN: 5059043324135 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 130 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 7 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 300 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = HEXFET
Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon. Motorsteuerungs-MOSFET. Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung. Synchrongleichrichter-MOSFET. Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 130 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 300 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HEXFET |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 130 a, 9133979, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFB4310PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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