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| Artikel-Nr.:
3794E-9158842 Herst.-Nr.:
C3M0280090D EAN/GTIN:
5059045433125 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 900 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 360 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.8V
Verlustleistung max. = 54 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +18 V
Transistor-Werkstoff = SiC
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed. Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert. Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand Latch-Up-resistenter Betrieb Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 900 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 360 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.8V | Verlustleistung max.: | 54 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +18 V | Transistor-Werkstoff: | SiC | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 11a mosfet, mosfet, transistor to-247, 9158842, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Wolfspeed, C3M0280090D, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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