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| Artikel-Nr.:
3794E-9194227 Herst.-Nr.:
SI4056DY-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040648753 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 31 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V
Verlustleistung max. = 5,7 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 1.5mm
N-Kanal MOSFET, mittlerer Spannung/thunderfet®, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 31 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 5,7 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 1.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 11a mosfet, 9194227, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI4056DYT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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