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| Artikel-Nr.: 3794E-9194299 Herst.-Nr.: SISS27DN-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059040648739 |
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| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 23 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 9 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 57 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = TrenchFET
P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 23 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 57 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | TrenchFET |
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| Weitere Suchbegriffe: 9194299, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SISS27DNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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