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| Artikel-Nr.:
3794E-9194744 Herst.-Nr.:
IRLML5103TRPBF EAN/GTIN:
5059043006642 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 760 mA
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 600 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 540 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.4mm
Höhe = 1.02mm
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 760 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 600 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 540 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 1.02mm |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet sot-23, 9194744, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRLML5103TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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