|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-9199749 Herst.-Nr.:
C2M0080120D EAN/GTIN:
5059045451785 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 31 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 208 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.7V
Verlustleistung max. = 208 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –10 V, +25 V
Breite = 5.21mm
Höhe = 21.1mm
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed. Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert. Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand Latch-Up-resistenter Betrieb Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 31 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 208 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.7V | Verlustleistung max.: | 208 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –10 V, +25 V | Breite: | 5.21mm | Höhe: | 21.1mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 9199749, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Wolfspeed, C2M0080120D, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |