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| Artikel-Nr.:
3794E-9200717 Herst.-Nr.:
IXTP50N20P EAN/GTIN:
5059041032681 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Verlustleistung max. = 360 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.83mm
Höhe = 9.15mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 60 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5.5V | Verlustleistung max.: | 360 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.83mm | Höhe: | 9.15mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 50a, 9200717, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXTP50N20P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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