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| Artikel-Nr.:
3794E-9200754 Herst.-Nr.:
IXFH24N80P EAN/GTIN:
5059041029537 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 24 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-247AD
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 650 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 21.46mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 24 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | TO-247AD | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 400 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 650 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 21.46mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 9200754, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFH24N80P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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