|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-9200785 Herst.-Nr.:
IXFH44N50P EAN/GTIN:
5059041034562 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 44 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-247AD
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 140 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 650 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HiperFET, Polar
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 44 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | TO-247AD | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 140 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 650 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HiperFET, Polar |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 9200785, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFH44N50P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |