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| Artikel-Nr.:
3794E-9200870 Herst.-Nr.:
IXFK48N50 EAN/GTIN:
5059041364287 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 48 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-264AA
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 500 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Serie = HiperFET
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS-Serie HiperFET™ Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 48 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | TO-264AA | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 100 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 500 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Serie: | HiperFET |
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| Weitere Suchbegriffe: 9200870, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFK48N50, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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