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| Artikel-Nr.: 3794E-9200877 Herst.-Nr.: IXFK26N120P EAN/GTIN: 5059041036856 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 26 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = TO-264 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 460 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 6.5V Verlustleistung max. = 960 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Betriebstemperatur max. = +150 °C Serie = HiperFET, Polar
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 26 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | TO-264 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 460 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 6.5V | Verlustleistung max.: | 960 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Serie: | HiperFET, Polar |
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| Weitere Suchbegriffe: 9200877, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFK26N120P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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