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| Artikel-Nr.:
3794E-9206648 Herst.-Nr.:
STL110N10F7 EAN/GTIN:
5059042295887 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = PowerFLAT 5 x 6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = STripFET H7
N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 110 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | PowerFLAT 5 x 6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 6 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | STripFET H7 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 110a, 9206648, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STL110N10F7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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