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| Artikel-Nr.:
3794E-9208843 Herst.-Nr.:
STFW69N65M5 EAN/GTIN:
5059042042795 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 58 A
Drain-Source-Spannung max. = 710 V
Gehäusegröße = TO-3PF
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 45 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 79 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 26.7mm
N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 58 A | Drain-Source-Spannung max.: | 710 V | Gehäusegröße: | TO-3PF | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 45 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 79 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 26.7mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 9208843, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STFW69N65M5, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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