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| Artikel-Nr.:
3794E-9211170 Herst.-Nr.:
DMT6016LFDF-7 EAN/GTIN:
5059043395463 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = U-DFN2020
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 27 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,9 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | U-DFN2020 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 27 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 1,9 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 11a mosfet, 9211170, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMT6016LFDF7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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