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| Artikel-Nr.: 3794E-9227958 Herst.-Nr.: ZVP0545GTA EAN/GTIN: 5059043392363 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 75 mA Drain-Source-Spannung max. = 450 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 150 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V Verlustleistung max. = 2 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur min. = –55 °C
P-Kanal-MOSFET, 100 V bis 450 V, Diodes Inc Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 75 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 450 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 150 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Verlustleistung max.: | 2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 9227958, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZVP0545GTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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