Central Semiconductor corp. Transistor (BJT) - diskret 2N2222A TO-18 Anzahl Kanäle 1 NPN

Central Semiconductor corp. Transistor (BJT) - diskret 2N2222A TO-18 Anzahl Kanäle 1 NPN

Transistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-18 · Hersteller: Central Semiconductor corp. · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): CSC · Kollektor Reststrom I(CES): 10 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 40 V · Leistung (max) P(TOT): 500 mW · Montageart: Durchführungsloch · Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret · Transitfrequenz f(T): 300 MHz · Typ (Hersteller-Typ): 2N2222A · VCE Sättigung (max.): 1 V