ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15025G TO-3 Anzahl Kanäle 1 PNP

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15025G TO-3 Anzahl Kanäle 1 PNP

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -16 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -8 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): -500 µA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -250 V · Leistung (max) P(TOT): 250 W · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 4 MHz · VCE Sättigung (max.): -4 V