ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE13007G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE13007G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN

Leistungs-Schalttransistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 8 A · DC Stromverstärkung (hFE): 5 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): 100 µA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 400 V · Leistung (max) P(TOT): 80 W · Montageart: Durchführungsloch · Serie (Halbleiter): SWITCHMODE™ · Transitfrequenz f(T): 14 MHz · VCE Sättigung (max.): 3 V