Infineon Technologies BF999 MOSFET 1 N-Kanal 200 mW TO-236-3

Infineon Technologies BF999 MOSFET 1 N-Kanal 200 mW TO-236-3

MOSFET-Tetrode

MOSFET-Tetrode (8 mm-Gurt) .

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 20 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 2.5 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 10 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 30 mA · Leistung (max) P(TOT): 200 mW · Montageart: Oberflächenmontage · U(DSS): 20 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 10 mA · U(GS)(th) max.: 12 V