Infineon Technologies Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung BCR148S SOT-363 Anzahl Kanäle 2 NPN - vorgespannt Tape cut

Doppel-Digitaltransistor-Array

Doppel-Digitaltransistor-Array.

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 70 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-363 · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 50 V · Leistung (max) P(TOT): 250 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Produkt-Art: Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · Typ (Hersteller-Typ): BCR148S · VCE Sättigung (max.): 300 mV · Verpackungsart (Bauteile): Tape cut