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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD809 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     3924-156400-9H
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     BD809
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungstransistor
Schalttransistor
Transistor
transistor npn 80v
Bipolar-Standard-Leistungstransistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 10 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: ON Semiconductor · Kollektor Reststrom I(CES): 1 mA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 80 V · Leistung (max) P(TOT): 90 W · Montageart: Durchführungsloch · Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret · Transitfrequenz f(T): 1.5 MHz · Typ (Hersteller-Typ): BD809 · VCE Sättigung (max.): 1.1 V

Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, leistungstransistor 80v, ON Semiconductor, BD809, 790-5296, Transfer Resistor, Bipolartransistor
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