IXYS IXTN550N055T2 MOSFET 1 N-Kanal 940 W SOT-227B

IXYS IXTN550N055T2 MOSFET 1 N-Kanal 940 W SOT-227B

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 40000 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-227B · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): IXY · I(d): 550 A · Leistung (max) P(TOT): 940 W · Montageart: Gehäuse · Q(G): 595 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 1.3 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 100 A · Serie (Halbleiter): GigaMOS™,TrenchT2™ · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 55 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V

Hinweis:
Eventuell abweichend zum Herstellerdatenblatt erfolgt die Lieferung grundsätzlich ohne Anschluss-Schrauben, da deren Länge von der jeweiligen Applikation abhängig ist. Die Schrauben in passender Länge mit Federring und Scheibe bitte separat mitbestellen.