IXYS IXFH320N10T2 MOSFET 1 N-Kanal 1000 W TO-247AD

IXYS IXFH320N10T2 MOSFET 1 N-Kanal 1000 W TO-247AD

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 26000 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): IXY · I(d): 320 A · Leistung (max) P(TOT): 1000 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 430 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 3.5 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 100 A · Serie (Halbleiter): HiPerFET™,TrenchT2™ · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V