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| Artikel-Nr.: 3924-160811-9H Herst.-Nr.: IXTH6N100D2 EAN/GTIN: k.A. |
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| IXYS IXTH6N100D2 MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-247AD
Transistor unipolar (MOSFET)
Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 1000 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 2650 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): IXY · I(d): 6 A · Leistung (max) P(TOT): 300 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 95 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 5 V · R(DS)(on): 2.2 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 0 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 3 A · Transistor-Merkmal: Deleption Mode · U(DSS): 1000 V
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| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, IXYS, IXTH6N100D2, depletion-mode-mosfet, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor |
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