Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220

Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 3210 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 84 A · Leistung (max) P(TOT): 200 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 130 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 12 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 50 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 60 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V