Infineon Technologies IRLD024PBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W HEXDIP

Infineon Technologies IRLD024PBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W HEXDIP

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 870 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): HEXDIP · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): VIS · I(d): 2.5 A · Leistung (max) P(TOT): 1.3 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 18 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 5 V · R(DS)(on): 100 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 5 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 1.5 A · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · U(DSS): 60 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 2 V