ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3773 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3773 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 16 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 8 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): 10 mA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 140 V · Leistung (max) P(TOT): 150 W · Montageart: Durchführungsloch · VCE Sättigung (max.): 1.4 V