IXYS IXFQ60N50P3 MOSFET 1 N-Kanal 1040 W TO-3P

IXYS IXFQ60N50P3 MOSFET 1 N-Kanal 1040 W TO-3P

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 500 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 6250 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): IXY · I(d): 60 A · Leistung (max) P(TOT): 1040 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 96 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 100 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 30 A · Serie (Halbleiter): HiPerFET™,Polar3™ · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 500 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 4 mA · U(GS)(th) max.: 5 V