Leistungstransistor, NPN, 100V, TO-225

Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=MJE243G, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1.8 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=4 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=15, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=100 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=100 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=600 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=4 A, Leistungsverteilung (PV)=1.5 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=40 MHz, Bauform=TO-225, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Box für Bulk