Bezeichnung=Komplementärendstufen Germanium-Transistor, Typ=NTE102A, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=90 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=10 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=69, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=32 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=-999, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=170 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=1 A, Leistungsverteilung (PV)=650 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Übergangsfrequenz=-999, Bauform=TO1, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=PNP Weitere Informationen:  | | Country of origin: | JP | Customs tariff number: | 8541210000 | Height: | 15 mm | Depth: | 60 mm | Gross weight: | 3 g | Width: | 15 mm |
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