Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=MJE350G, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=3 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=240, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=-999, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=300 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=-999, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=500 mA, Leistungsverteilung (PV)=20 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=-999, Bauform=TO-225, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=PNP, Verpackung=Box für Bulk Weitere Informationen: | | Country of origin: | US | Customs tariff number: | 8541290000 | Height: | 3 mm | Depth: | 27 mm | Gross weight: | 0,6 g | Width: | 18 mm |
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