Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=BD140G, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=25, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=100 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=80 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=500 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=1.5 A, Leistungsverteilung (PV)=12.5 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=-999, Bauform=TO-225, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=PNP, Verpackung=Box für Bulk Weitere Informationen: | | Country of origin: | US | Customs tariff number: | 8541290000 | Height: | 2 mm | Depth: | 25 mm | Gross weight: | 0,65 g | Width: | 5 mm |
|