Leistungstransistor, NPN, 150V, TO-220

Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=MJE15030G, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=20, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=150 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=150 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=500 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=8 A, Leistungsverteilung (PV)=2 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=30 MHz, Bauform=TO-220, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Röhre