Bezeichnung=Bipolarer Transistor, Typ=2N5551, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=250, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=180 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=160 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=200 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=600 mA, Leistungsverteilung (PV)=625 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=300 MHz, Bauform=TO-92, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Gurtware |
